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除了将纳米材料组装成FET中的半导体通道之外，降级分子也能够组装成半导体或电介质薄膜。青岛区域或者可以在牺牲基板上完成组装之后采取干式取放转移方法。

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其他类LB组装方法，降级如剂量控制、浮动蒸发自组装，也可对准SWCNT。青岛区域电致变色器件能够在施加外部电压时改变器件颜色。

与Ag纳米线类似，部分SWCNT能够使用LB组装对准致密结构。

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降级晶格失配的存在会严重影响异质结的质量。我们知道在制备异质结时，青岛区域首先要考虑不同材料的晶体结构是否匹配，包括晶格常数的大小和材料的对称性。

由于过渡金属的d带逐渐被填充，部分使它们具有丰富的电子特性，部分从绝缘体或半导体（例如，Ti，Hf，Zr，Mo和W二硫化物）到金属或半金属（V，Nb和Ta二硫化物）。风险（h）样品在PDMS上的光学照片。